1. Electronic integrated circuits known as dynamic random access memories (DRAMs)

Circuits électroniques intégrés dits “mémoires dynamiques à accès aléatoire” (ou “DRAM”)

2. Imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories)

Importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire)

3. The DRAM cell is operated in response to a word line driver that is controlled to provide a positive boosted voltage and a negative boosted voltage to the word line, thereby controlling access to the DRAM cell.

La cellule DRAM répond à un circuit d'attaque qui fournit une surtension positive et une surtension négative à la ligne mot, ce qui commande l'accès à la cellule DRAM.

4. Dram supporting different burst-length accesses without changing the burst length setting in the mode register

Dram supportant des acces a longueur de rafale differente sans changement du reglage de longueur de rafale dans le registre de mode

5. The Gating Buffer card alternately stores an arriving PET data packet stream into two dedicated DRAM banks.

Cette carte tampon d'entrée l'information peut aussi stocker un flux de paquets de données PET entrantes dans deux banques DRAM spécialisées.

6. Capacitor with recessed plate portion for dynamic random access memory (dram) and method to form the same

Condensateur à partie de plaque renfoncée pour mémoire vive dynamique (dram) et son procédé de fabrication

7. A refresh control circuit (10) receives an interrupt signal REFTEND which requests the refresh of a dynamic random access memory (DRAM) (200) and is asserted at a specified timing.

Selon l'invention, un circuit de commande de rafraîchissement (10) reçoit un signal d'interruption REFTEND qui demande le rafraîchissement d'une mémoire vive dynamique (DRAM) (200) et qui est confirmé selon la temporisation spécifiée.

8. The word line driver (400) is controlled to provide a positive boosted voltage and a negative boosted voltage to the word line (303), thereby controlling access to the DRAM cell (300).

La commande (400) de canal mot est régulée de manière à produire une tension amplifiée positive et une tension amplifiée négative pour le canal mot, ce qui permet de commander l'accès à la cellule DRAM (300).